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PECVD-LT
PECVD-LT系列为公司自主设计研发的产品系列
PECVD-LT系列为公司自主设计研发的产品系列,该等离子体沉积设备可用于显示面板薄膜封装层的出产,重要用于各类介质薄膜(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)的化学气相沉积,可按需定造。PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition  ,等离子体加强化学气相沉积)是一种通过射频( RF )电源引发等离子体 ,在低温前提下实现薄膜沉积的半导体造作技术。其主题在于利用等离子体中的高能粒子(电子、离子、自由基)降低反映活化能 ,使正本必要高温能力进行的反映在较低温度下即可产生。
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设备特点

沉积薄膜质量高

01

沉积薄膜质量高 ,低应力、高靠得住性 ,膜层不易开裂 ,附着性较好

精准控温

02

蝶形管路布局与热壁式腔体 ,精准控温 ,低温沉积不危险0LED有机发光资料

差距化凹孔

03

差距化凹孔径散布搭配五阶孔结构 ,空心阴极效应提升膜厚均匀性,膜层厚度纳米级可控

工艺沉复性

04

多轴协同CCD实现掩膜板微米级自对位 ,精准锁定成膜区 ,保险工艺沉复性

设备运行不变

05

设备运行不变、沉积速度可控 ,适配大规模批量出产 ,良率更高

优化升级

06

支持多腔体物流配置 ,部门?榈鞫榷越庸こIM ,原设备刷新升级优化

设备道理
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产品参数
项目
Item
SiO SiON SiN
基板尺寸
Substrate Size
G3.5~G8.6 G3.5~G8.6 G3.5~G8.6
温度领域
Temperature Range
60~120℃ 60~120℃ 60~120℃
温度均一性
Temperature Uniformity
±2℃ ±2℃ ±2℃
片内均一性
Intra-chip Uniformity
≤5% ≤5% ≤5%
片间均一性
Inter-slide Uniformity
≤3% ≤3% ≤3%
镀膜速度
Coating Rate
≥2000?/min ≥2500?/min ≥2800?/min
折射率
Refractive Rate
1.43~1.50 1.67~1.77 1.8~2.20
透光率(380~780nm)
Light Transmittance
≥95% ≥90% ≥90%
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