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APCVD-FX
本设备选取热源上置、基板向下的颠倒构型
本设备选取热源上置、基板向下的颠倒构型 ,反映气体自下而上垂直输送。沉力与热对流协同作用 ,使副产品颗粒天然远离膜面 ,上升热气流同步实现反映物供给与废气排出。在保险优异均匀性的同时 ,从物理源头大幅降低颗粒传染风险 ,为高端薄膜造程提供干净、靠得住的主题保险。
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设备特点

空间节俭

01

低成本,空间节俭

高产出

02

单元功夫高产出

削减颗粒物

03

Face Down怪异设计 ,大幅度削减颗粒物

膜均匀性

04

优异的薄膜均匀性 ,薄膜均匀性≤3%

真空吸附设计

05

背真空吸附设计 ,优异的晶圆翘曲纠正能力

产品参数
基板尺寸
Substrate Size
4寸、6寸、8寸、12寸(单腔)
Single-Chamber
4寸、6寸、8寸、12寸(双腔)
Dual-Chamber
4寸、6寸、8寸、12寸(三腔)
Triple-Chamber
产能
Production Capacity
WPH>28@500nm WPH>56@500nm WPH>84@500nm
方式
Type
Face Down设计 Face Down设计 Face Down设计
薄膜资料
Thin Film Material
USG、PSG、BSG、BPSG USG、PSG、BSG、BPSG USG、PSG、BSG、BPSG
薄膜均匀性
Film Uniformity
≤3% ≤3% ≤3%
工艺温度温度
Process Temperature
300~500℃ 300~500℃ 300~500℃
颗粒
Particle
>0.3 μm ,≤10ea >0.3 μm ,≤10ea >0.3 μm ,≤10ea
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